CSD19537Q3

规格参数

• 部件状态 可供货
• 场效应管类型 n通道
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压标 (Vdss) 100伏
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 包装/外壳 8-PowerVDFN
• 制造厂商 德州仪器 (Texas)
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 21 nC@10 V
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.6V @ 250A
• 漏源电流 (Id) @ 温度 50A (Ta)
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1680 pF@50 V
• 导通电阻 Rds(ON) 14.5毫欧姆@10A，10V
• 最大功耗 2.8W（Ta）、83W（Tc）
• 供应商设备包装 8-VSON (3.3x3.3)
• 色彩/颜色 蓝色