9icnet为您提供Nexperia USA Inc.设计生产的BUK7Y4R4-40EX，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。BUK7Y4R4-40EX参考价格为1.17000美元。Nexperia USA Inc.BUK7Y4R4-40EX封装/规格：MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56。您可以下载BUK7Y4R4-40EX英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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BUK7Y38-100EX带有引脚细节，包括卷轴封装，它们设计为与BUK7Y 38-100E115零件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如LFPAK-4，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供95W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为12.6 ns，上升时间为9.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为30 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为24.5mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为6.6ns，Qg栅极电荷为30.9nC。
BUK7Y41-80EX，带有用户指南，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于80 V，提供典型的开启延迟时间功能，如5.3 ns，典型的关闭延迟时间设计为11 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为6.6 ns，器件的漏极-源极电阻为29.6 mOhms，Qg栅极电荷为16.4 nC，Pd功耗为64 W，封装为卷轴式，封装外壳为LFPAK-4，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为25 A，下降时间为7.4 ns，配置为三重共源。
BUK7Y43-60EX，带有电路图，包括单配置，它们设计为在6 ns下降时间下工作，数据表注释中显示了用于22 a的Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为LFPAK-4，器件采用卷筒封装，器件具有45W的Pd功耗，Qg栅极电荷为10.4nC，Rds漏极-源极电阻为29.8mOhm，上升时间为6ns，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为7ns，典型的导通延迟时间为4ns，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs第h栅极-源阈值电压为3V。
BUK7Y3R0-40EX带有EDA/CAD模型，包括Si技术，设计用于卷筒包装。
