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BSC084P03NS3E G是MOSFET P-Ch-30V-78.6A TDSON-8 OptiMOS P3，包括OptiMOS P3系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了零件别名，用于BSC084PP03NS3EGATMA1 BSC084P03 NS3EGXT SP000473012，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及TDSON-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1个晶体管型P信道，Pd功耗为69 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8.1 ns，上升时间为133.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25V，Id连续漏极电流为-78.6A，Vds漏极-源极击穿电压为-30V，Rds漏极源极导通电阻为8.4mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为33.3nS，Qg栅极电荷为43.4nC。
BSC084P03NS3 G是MOSFET P-Ch-30V-78.6A TDSON-8 OptiMOS P3，包括-2.5 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。数据表中显示了用于1个P沟道的晶体管类型，该沟道提供晶体管极性特性，如P沟道，商品名设计用于OptiMOS，以及Si技术，该器件也可以用作OptiMOS P3系列。此外，Rds漏极-源极电阻为8.4 mOhms，该器件提供69 W Pd功耗，该器件具有零件别名的BSC084P03 NS3GATMA1 BSC084P3 NS3GXT SP000473020，包装为卷筒式，包装箱为TDSON-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏电流为-78.6 A，配置为单一。
BSC082N10LSG，带有INFINEON制造的电路图。BSC082N10LSG采用DFN-85X6封装，是FET的一部分-单个。
