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TPN2010FNH,L1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.6A (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta), 39W (Tc) 供应商设备包装: 8-TSON Advance (3.1x3.1) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.23543 12.23543
  • 库存: 10
  • 单价: ¥12.23543
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.24
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 漏源电压标 (Vdss) 250伏
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 5.6A (Ta)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 8-TSON Advance (3.1x3.1)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 7 nC @ 10 V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 200A
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600 pF @ 100 V
  • 最大功耗 700mW (Ta), 39W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 198毫欧姆@2.8A,10V
  • 色彩/颜色 -

TPN2010FNH,L1Q 产品详情

TPN2010FNH,L1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPN2010FNH,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPN2010FNH,L1Q价格参考¥12.235431,你可以下载 TPN2010FNH,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPN2010FNH,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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