SIR500DP-T1-RE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 85.9A (Ta), 350.8A (Tc) 最大功耗: 6.25W (Ta), 104.1W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 12.45778 | 12.45778 |
10+ | 11.17579 | 111.75795 |
100+ | 8.98192 | 898.19200 |
500+ | 7.37979 | 3689.89550 |
1000+ | 6.32551 | 6325.51400 |
3000+ | 6.32558 | 18976.76100 |
- 库存: 0
- 单价: ¥12.45779
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.46
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 安装类别 表面安装
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 180 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 最大栅源极电压 (Vgs) +16V、-12V
- 包装/外壳 PowerPAKSO-8
- 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
- 漏源电流 (Id) @ 温度 85.9A (Ta), 350.8A (Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 0.47欧姆@20A、10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8960 pF @ 15 V
- 最大功耗 6.25W (Ta), 104.1W (Tc)
- 色彩/颜色 -
SIR500DP-T1-RE3 产品详情
Vishay的SiR626DP-T1-RE3 TrenchFET Gen IV功率MOSFET具有工业低导通电阻和低总栅极电荷。通过PowerPAK SO-8封装,它优化了互连设计,将封装电阻降低了66%。
SIR500DP-T1-RE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIR500DP-T1-RE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIR500DP-T1-RE3价格参考¥12.457788,你可以下载 SIR500DP-T1-RE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIR500DP-T1-RE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...