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SIRA52ADP-T1-RE3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 41.6A (Ta), 131A (Tc) 最大功耗: 4.8W (Ta), 48W (Tc) 供应商设备包装: PowerPAKSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 10.86435 10.86435
10+ 9.74170 97.41701
100+ 7.59562 759.56290
500+ 6.27452 3137.26200
1000+ 4.95356 4953.56400
3000+ 4.95363 14860.91100
  • 库存: 0
  • 单价: ¥10.86435
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥10.86
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 漏源电压标 (Vdss) 40伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.4V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) +20伏、-16伏
  • 包装/外壳 PowerPAKSO-8
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 100 nC@10 V
  • 供应商设备包装 PowerPAKSO-8
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 41.6A (Ta), 131A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 1.63欧姆@15A、10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5500 pF @ 20 V
  • 最大功耗 4.8W (Ta), 48W (Tc)
  • 色彩/颜色 -

SIRA52ADP-T1-RE3 产品详情

Vishay Siliconix的SiRA20DP N沟道25 V MOSFET具有同类产品中最低的RDS(ON)。它通过优化总栅电荷(Qg)、栅漏电荷(Qgd)和Qgd/栅源电荷(Qgs)比来减少开关相关的功率损耗。极低的Qgd“米勒”电荷使通过平台电压更快。它采用传统的PowerPAK®SO-8设计封装。在不改变封装尺寸和引脚配置的情况下提供更高的功率密度。10密耳夹将封装贡献的电阻降低66%,并使硅的性能最大化。

Vishay SiRA20DP N沟道25V MOSFET具有优化的总栅电荷(Qg)、栅漏电荷(Qgd)和Qgd/栅源电荷(Qgs)比,可减少开关相关的功率损耗。SiRA20DP是一种TrenchFET� 经过100%Rg和UIS测试的IV代设备。典型的应用包括同步整流、高功率密度DC/DC、同步降压转换器、OR环、负载切换和电池管理。

SIRA52ADP-T1-RE3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),SIRA52ADP-T1-RE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SIRA52ADP-T1-RE3价格参考¥10.864350,你可以下载 SIRA52ADP-T1-RE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SIRA52ADP-T1-RE3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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