9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR880DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR880DP-T1-GE3价格参考2.86000美元。Vishay Siliconix SIR880DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR880DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR878DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 100V 40A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SIR878DP-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为44.5W，晶体管类型为1 N沟道，漏极-源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为1250pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为40A（Tc），最大Id Vgs的Rds为14mOhm@15A，10V，Vgs最大Id为2.8V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为43nC@110V，Pd功耗为44.5W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Vgs栅-源极阈值电压为2.8 V，Rds漏极源极电阻为14 mΩ，晶体管极性为N沟道，Qg栅极电荷为28.3nC，正向跨导Min为34S。
SIR880ADP-T1-GE3是MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计用于80 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.017870盎司，提供晶体管类型功能，如2 N沟道，晶体管极性设计用于N沟道，该器件也可以用作硅技术。此外，该系列为SIRxxxADP，该器件提供6.3 mOhms Rds漏极-源极电阻，该器件具有24 nC的Qg栅极电荷，Pd功耗为83 W，零件别名为SIR880ADP-GE3，包装为卷轴式，封装盒为SO-8，通道数为2通道，安装样式为SMD/SMT，Id连续漏极电流为60 a，并且配置是双重的，信道模式是增强的。
SIR878DP-T1，带有VISHAY制造的电路图。SIR878DP-T1在QFN封装中提供，是FET的一部分-单个。
