9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLZ14STRLPBF,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLZ14STRLPBF参考价格为1.70000美元。Vishay Siliconix IRLZ14STRLPBF封装/规格:MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK。您可以下载IRLZ14STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRLZ14PBF是MOSFET N-CH 60V 10A TO-220AB,包括管封装,它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作,安装方式如数据表注释所示,用于通孔,提供TO-220-3等封装外壳功能,技术设计用于Si,以及1通道数量的通道,该设备也可以用作单配置。此外,晶体管类型为1 N沟道,器件提供43 W Pd功耗,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为26 ns,上升时间为110 ns,Vgs栅极-源极电压为10 V,Id连续漏极电流为10 A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds漏极漏极-漏极电阻为200mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为17ns,典型接通延迟时间为9.3ns,沟道模式为增强。
IRLZ14SPBF是MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK,包括10 V Vgs栅极-源极电压,它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.050717盎司,提供典型的开启延迟时间功能,如9.3 ns,典型的关闭延迟时间设计为17 ns,以及1 N沟道晶体管类型,该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外,该技术为Si,器件的上升时间为110 ns,器件的漏极-源极电阻为200 mOhms,Pd功耗为3.7 W,封装为管,封装外壳为TO-252-3,通道数为1通道,安装方式为SMD/SMT,其最低工作温度范围为-55 C,其最大工作温度范围为+175℃,Id连续漏电流为10 A,下降时间为26 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IRLZ14S是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK。IRLZ14S可提供TO-263-3、D²Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH60V 10A D1PAK、N沟道60V 10A(Tc)3.7W(Ta)、43W(Tc)表面安装D2PAK、Trans-MOSFET N-CH-Si 60V 10A 3-Pin(2+Tab)D2PAK等。
IRLZ14STRL是由IR制造的MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK。IRLZ14STRL可提供TO-263-3、D²Pak(2引线+接线片)、TO-263AB封装,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH60V 10A D1PAK、N沟道60V 10A(Tc)3.7W(Ta)、43W(Tc。