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IRLZ14STRLPBF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 10A(Tc) 最大功耗: 3.7W (Ta), 43W (Tc) 供应商设备包装: DPAK (TO-263) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 12.31293 12.31293
10+ 11.02369 110.23694
100+ 8.59442 859.44250
800+ 7.09956 5679.65040
1600+ 5.60491 8967.86880
  • 库存: 449
  • 单价: ¥12.31293
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥12.31
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
  • 包装/外壳 到263-3,DPak(2根引线+接线片),TO-263AB
  • 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
  • 供应商设备包装 DPAK (TO-263)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2V@250A.
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 400 pF @ 25 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4V, 5V
  • 最大功耗 3.7W (Ta), 43W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 10A(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 200毫欧姆@6A,5V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 8.4 nC @ 5 V

IRLZ14STRLPBF 产品详情

IRLZ14STRLPBF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IRLZ14STRLPBF 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IRLZ14STRLPBF价格参考¥12.312930,你可以下载 IRLZ14STRLPBF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IRLZ14STRLPBF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

黑森尔 (Vishay Siliconix)

黑森尔 (Vishay Siliconix)

Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体(二极管、MOSFET和光电子)和无源元件(电阻器、电感器和电容器)的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...

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