9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD17551Q5A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD17551Q5A参考价格为1.12000美元。德州仪器CSD17551Q5A封装/规格：MOSFET N-CH 30V 48A 8VSON。您可以下载CSD17551Q5A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD17551Q3A是MOSFET N-CH 30V 12A 8VSON，包括NexFET？系列，它们设计为使用Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供NexFET等商标功能，包装箱设计为在8-PowerVDFN以及Si技术中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有8-SON（3.3x3.3）的供应商器件封装，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2.6W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1370pF@15V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为12A（Tc），最大Id Vgs的Rds为9 mOhm@11A，10V，Vgs的最大Id为2.1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.8nC@4.5V，Pd功耗为2.6W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为3.4 ns，上升时间为24ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为48A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为11.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为6nC，正向跨导Min为101S。
CSD17527Q5A是MOSFET N-CH 30V 65A 8SON，包括2V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-VSON（5x6）供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于NexFET？，提供Rds On Max Id Vgs功能，如10.8 mOhm@11A，10V，Power Max设计为3W工作，以及Digi-ReelR替代包装包装，该设备也可以用作8-PowerTDFN包装盒，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该设备为表面安装型，该设备具有506pF@15V输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg Vgs为3.4nC@4.5V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为65A（Tc）。
CSD17522Q5A是TI制造的“MOSFET 30V”。CSD17522Q 5A采用SON 5 mm x 6 mm封装，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET 30 V、N沟道30V 87A（Tc）3W（Ta）表面安装8-VSON（5x6）、Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8引脚SON EP T/R、MOSFET 30伏、NCh Nex FET功率MOSFET。
