9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQ4435EY-T1_BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQ4435EY-T1_BE3参考价格$1.51000。Vishay Siliconix SQ4435EY-T1_BE3封装/规格：MOSFET P沟道30V 15A 8SOIC。您可以下载SQ4435EY-T1_BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQ4431EY-T1-GE3是MOSFET P-CH 30V 10.8A 8SOIC，包括SQ系列系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于SQ4431EY-GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商标，该设备也可以用作SO-8封装盒。此外，该技术为Si，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有单通道配置，晶体管类型为1 P通道，Pd功耗为6 W，其最大工作温度范围为+175 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-10.8 a，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为30 mOhms，晶体管极性为P沟道。
带有用户指南的SQ4425EY-T1_GE3，包括-30 V Vds漏极-源极击穿电压，它们设计用于P沟道晶体管极性，产品名称显示在数据表注释中，用于提供Si等技术特性的TrenchFET，该系列设计用于SQ系列以及卷筒包装，其最大工作温度范围为+175 C。
带电路图的SQ4435EY-T1_GE3，其最大工作温度范围为+175 C，设计用于卷盘封装，该系列在数据表注释中显示，用于SQ系列，该系列提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-30 V Vds漏极-源极击穿电压。
SQ4425EY-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SQ4425EY-T1-GE3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
