9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIRA14DP-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIRA14DP-T1-GE3参考价格为0.72000美元。Vishay Siliconix SIRA14DP-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 30V 58A PPAK SO-8。您可以下载SIRA14DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIRA00DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 100A PPAK SO-8,包括TrenchFETR系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,零件别名如数据表注释所示,用于SIRA00DP-GE3,提供单位重量功能,如0.017870盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及TrenchFET商品名,该设备也可以用作PowerPAKR SO-8封装盒。此外,该技术为Si,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ),该器件具有安装型表面安装,通道数为1通道,供应商器件封装为PowerPAKR SO-8,配置为单四漏三源,FET类型为MOSFET N通道,金属氧化物,最大功率为104W,晶体管类型为1 N沟道,漏极-源极电压Vdss为30V,输入电容Cis-Vds为11700pF@15V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为100A(Tc),最大Id Vgs上的Rds为1 mOhm@20A,10V,Vgs最大Id为2.2V@250μA,栅极电荷Qg-Vgs为220nC@10V,Pd功耗为104W,它的最大工作温度范围为+150℃,最小工作温度范围是-55℃,下降时间为11 ns,上升时间为14 ns,Vgs栅极-源极电压为2.2 V,Id连续漏极电流为60 A,Vds漏极-源极击穿电压为30 V,漏极-漏极电阻为1 mOhms,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为67ns,典型接通延迟时间为18ns,Qg栅极电荷为66nC,正向跨导Min为140S。
SIR928-6C-F是EMITTER IR 875NM 100MA RADIAL,包括875NM波长,设计用于1.3V正向电压Vf Typ,视角如数据表注释所示,用于40°,提供IR等类型功能,包装设计用于散装包装,以及径向包装箱,该设备也可用于侧视图定向,它的工作温度范围为-25°C~85°C(TA),该设备为通孔、直角安装型,该设备具有红外照明颜色,如果最大值为100mA,则电流为直流正向。
SiR892DP-T1-E3,带有VISHAY制造的电路图。SiR892DP-T1-E3采用QFN8封装,是IC芯片的一部分。
SIR892DP-T1-GE3-S,带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SIR892DP-T1-GE3-S采用QFN封装,是IC芯片的一部分。