SISS73DN-T1-GE3

规格参数

• 长（英寸） -
• 部件状态 可供货
• 技术 MOSFET（金属氧化物）
• 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
• 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
• 场效应管特性 -
• 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
• 安装类别 表面安装
• 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
• 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
• 场效应管类型 P-通道
• 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 22 nC@10 V
• 漏源电压标 (Vdss) 150伏
• 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@10A，10V
• 供应商设备包装 PowerPAK1212-8S
• 包装/外壳 PowerPAK1212-8S
• 最大功耗 5.1W (Ta), 65.8W (Tc)
• 漏源电流 (Id) @ 温度 4.4A (Ta), 16.2A (Tc)
• 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 719 pF @ 75 V