9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR664DP-T1-GE3,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR664DP-T1-GE3价格参考1.20000美元。Vishay Siliconix SIR664DP-T1-GE3封装/规格:MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8。您可以下载SIR664DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR662DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 60V 60A PPAK SO-8,包括SIRxxxDP系列,它们设计用于卷筒包装,零件别名如数据表注释所示,用于SIR662DP-GE3,提供单位重量功能,如0.017870盎司,安装样式设计用于SMD/SMT,以及ThunderFET TrenchFET商标,该装置也可用作SO-8包装箱。此外,该技术为Si,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有单通道配置,晶体管类型为1 N通道,Pd功耗为104 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,Vgs栅源电压为+/-20 V,并且Id连续漏极电流为60A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Vgs栅极-源极阈值电压为1V至2.5V,Rds漏极源极电阻为2.7mOhm,晶体管极性为N沟道,Qg栅极电荷为64nC,正向跨导Min为93S。
SiR640ADP,带有VISHAY制造的用户指南。SiR640ADP采用DFN封装,是IC芯片的一部分。
SIR640DP-T1-GE3是由VISHAY制造的MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8。SIR640DP-T1-GE3在PowerPAK®SO-8封装中提供,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 40V 60A PPAK SO-8、N沟道40V 60V(Tc)6.25W(Ta)、104W(Tc)表面安装PowerPAK?SO-8,Trans MOSFET N-CH 40V 45A 8引脚PowerPAK SO T/R。