9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SIR164DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SIR164DP-T1-GE3参考价格为1.52000美元。Vishay Siliconix SIR164DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 50A PPAK SO-8。您可以下载SIR164DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SIR158DP-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8，包括SIRxxxDP系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名如数据表注释所示，用于SIR158DP-GE3，提供单位重量功能，如0.017870盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单四漏三源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为5.4W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为16ns，上升时间为36ns，并且Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为40A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.8mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为47ns，典型接通延迟时间为28ns，沟道模式为增强。
SIR158DP-T1-GE3=R158，带有VISHAY制造的用户指南。SIR158DP-T1-GE3=R158采用QFN8封装，是IC芯片的一部分。
SIR164，电路图由VISHAY制造。SIR164在QFN8封装中提供，是FET的一部分-单个。
SIR164DP带有SI制造的EDA/CAD模型。SIR164DP以QFN-8封装形式提供，是FET的一部分-单个。
