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TPH2R608NH,L1Q

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 75 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150A(Tc) 最大功耗: 142W(Tc) 供应商设备包装: 8-SOP Advance (5x5) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:2-3 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 29.22510 29.22510
  • 库存: 10
  • 单价: ¥29.22510
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥29.23
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 包装/外壳 8-PowerVDFN
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 漏源电压标 (Vdss) 75 V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 1毫安
  • 供应商设备包装 8-SOP Advance (5x5)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 150A(Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 72 nC @ 10 V
  • 最大功耗 142W(Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 2.6毫欧姆@50A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6000 pF @ 37.5 V
  • 色彩/颜色 灰色

TPH2R608NH,L1Q 产品详情

  • 应用范围:DC-DC转换器/开关稳压器/电机驱动器
  • 极性:N-ch
  • 世代:U-MOSⅧ-H
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 组装基地:马来西亚

特色

  • 装配底座:4.0 V
  • 装配底座:4.7 mΩ
  • 装配底座:2.3 mΩ
  • 装配底座:4700 pF
  • 装配底座:72 nC

应用

DC-DC转换器/开关稳压器/电机驱动器
TPH2R608NH,L1Q所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TPH2R608NH,L1Q 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TPH2R608NH,L1Q价格参考¥29.225102,你可以下载 TPH2R608NH,L1Q中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TPH2R608NH,L1Q规格参数、现货库存、封装信息等信息!

东芝 (Toshiba)

东芝 (Toshiba)

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