9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI4166DY-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI4166DY-T1-GE3参考价格为1.52000美元。Vishay Siliconix SI4166DY-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 30V 30.5A 8SO。您可以下载SI4166DY-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI4164DY-T1-GE3是MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC，包括卷轴封装，它们设计用于SI4164DY-GE3零件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.006596盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于SOIC-Norrow-8，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单四漏三源，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为16 ns，上升时间为16纳秒，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.2mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为48ns，典型接通延迟时间为35ns，正向跨导最小值为75S，沟道模式为增强。
SI4166DY带有SI制造的用户指南。SI4166DY可在SOP-8封装中获得，是FET的一部分-单。
SI4166DY-T1-E3，带有VISHAY制造的电路图。SI4166DY-T1-E3采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
