9icnet为您提供由onsemi设计和生产的FDD3682，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。FDD3682价格参考1.13000美元。onsemi FDD3682封装/规格：MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA。您可以下载FDD3682英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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FDD3680是MOSFET N-CH 100V 25A D-PAK，包括PowerTrench系列，它们设计用于卷筒包装，零件别名显示在数据表注释中，用于FDD3680_NL，提供单位重量功能，例如0.009184盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为68 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为8.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为25A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为32m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为63ns，典型接通延迟时间为14ns，Qg栅极电荷为53nC，正向跨导最小值为25S，并且信道模式是增强。
FDD3672是MOSFET N-CH 100V 44A D-PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.009184盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如11 ns，典型的关闭延迟时间设计为26 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为59 ns，器件的漏极-源极电阻为28 mOhms，Pd功耗为135 W，零件别名为FDD3672_NL，封装为卷筒，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为44 A，下降时间为44 ns，配置为单一，通道模式为增强。
FDD3672_F085带电路图，包括44 A Id连续漏极电流，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，提供SMD/SMT等安装类型功能，通道数设计为在1个通道中工作，以及to-252-3封装盒，该设备也可用作卷筒封装。此外，Pd功耗为144 W，器件提供24 mOhms Rds漏极-源极电阻，器件具有Si of Technology，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、单位重量为0.009184 oz，Vds漏极源极击穿电压为100 V。
