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BSC018N04LS G是MOSFET N-Ch 40V 100A TDSON-8 OptiMOS 3,包括OptiMOS 3系列,它们设计用于卷盘封装,数据表注释中显示了零件别名,用于BSC018N04LSGATMA1 BSC018NO4LSGXT SP000388293,提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,以及TDSON-8封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单四漏三源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为2.5 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为9 ns,上升时间为7.4 ns,并且Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为30A,Vds漏极-源极击穿电压为40V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.8mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为55ns,典型接通延迟时间为13ns,沟道模式为增强。
BSC017N04NSG,带有INFINEON制造的用户指南。BSC017N04NSG在P-TDSON-8封装中提供,是FET的一部分-单个。
BSC018N04LS,电路图由FEELING制造。BSC018N04LS采用QFN封装,是FET的一部分-单个。
BSC018N04LSG,带有INFINEON制造的EDA/CAD模型。BSC018N04LSG在TDSON-8封装中提供,是FET的一部分-单个。