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PSMN3R9-60PSQ带有引脚细节，包括管封装，其设计用于0.211644盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供263 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为45 ns，上升时间为41.4 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为130 A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为2.94mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为62.7ns，典型接通延迟时间为25.3ns，Qg栅极电荷为103nC，沟道模式为增强。
PSMN3R9-25MLC，115，带有NXP制造的用户指南。PSMN3R9-25MLC，115可在LFPAK33封装中获得，是IC芯片的一部分，N沟道25V 70A（Tc）69W（Tc）表面贴装LFPAK3，Trans MOSFET N-CH 25V 70B 8引脚LFPAK EP T/R，MOSFET N沟道MOSFET逻辑电平LFPAK34。
PSMN4R0-25YLC，带有NXP制造的电路图。PSMN4R0-25YLC在LFPAK封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN4R0-30YL，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN4R0-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
