9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3473CDV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3473CDV-T1-E3参考价格为0.74000美元。Vishay Siliconix SI3473CDV-T1-E3封装/规格：MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP。您可以下载SI3473CDV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3471DV-T1-E3是MOSFET 12V 6.8A 1.1W，包括卷轴封装，它们设计用于SI3471DV T1部件别名，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于TSOP-6，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 P沟道晶体管类型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为50纳秒，Vgs栅极-源极电压为8 V，Id连续漏极电流为5.1 a，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，Rds漏极源极电阻为31mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为125ns，典型接通延迟时间为21ns，沟道模式为增强型。
SI3471DV-T1-GE3是MOSFET 12V 6.8A 2.0W 31mohm@4.5V，包括8 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在-12 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供晶体管类型功能，如1个P沟道，晶体管极性设计为在P沟道中工作，以及Si技术，该器件也可以用作31毫欧Rds漏极-源极电阻。此外，Pd功耗为1.1 W，该器件以SI3471DV-GE3零件别名提供，该器件具有一个包装卷，包装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为5.1 a，配置为单一。
SI3471CDV-T1-GE3是MOSFET 12V 8.0A 3.8W 27mohm@4.5V，包括单一配置，它们设计为在8 a Id连续漏电流下工作，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作TSOP-6封装盒。此外，包装为卷筒，该器件以SI3471CDV-GE3零件别名提供，该器件具有2 W的Pd功耗，Rds漏极-源极电阻为27 mOhms，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1 P沟道、单位重量为0.000705 oz，Vds漏极源极击穿电压为-12 V，Vgs栅极-源极电压为8V。
