9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3440DV-T1-E3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3440DV-T1-E3参考价格为1.60000美元。Vishay Siliconix SI3440DV-T1-E3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP。您可以下载SI3440DV-T1-E3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI3438DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI3438DV GE3的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.000705 oz，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为3.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为640pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为7.4A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为35.5 mOhm@5A、10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg-Vgs为20nC@10V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为5.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，Rds漏极源极电阻为35.5 mOhm，晶体管极性为N沟道。
SI3438DV-T1-E3是MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在40 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000705盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如16 ns，典型的关闭延迟时间设计为16 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17 ns，器件的漏极-源极电阻为35.5 mOhms，Qg栅极电荷为5.3 nC，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3438DV-E3，封装为卷轴，封装盒为TSOP-6，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为5.5 A，下降时间为10 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SI34401BDY-T1-GE3，带有VISHAY制造的电路图。SI34401BDY-T1-GE3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
