9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI8416DB-T2-E1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI8416DB-T2-E1参考价格为0.74000美元。Vishay Siliconix SI8416DB-T2-E1封装/规格：MOSFET N-CH 8V 16A 6MICRO FOOT。您可以下载SI8416DB-T2-E1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI8413DB-T1-E1是MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP，包括卷盘封装，它们设计为与SI8413DB-E1部件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供封装盒功能，如MicroFoot-4，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单双漏极配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1.47 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为50纳秒，Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为4.8 A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds漏极源极电阻为48mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为31ns，Qg栅极电荷为14nC，沟道模式为增强。
SI8413DB-T1-E3是由VISHAY制造的MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP。SI8413DB-T1-E3提供4-XFBGA、CSPBGA封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET P-CH 20V 4.8A 2X2 4-MFP。
SI8415DB-T1，带有VISHAY制造的电路图。SI8415DB-T1在BGA封装中提供，是FET的一部分-单个。
SI8415DB-T1-E1是由VISHAY/SILICONIX制造的MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP。SI8415DB-T1-E1提供4-XFBGA、CSPBGA封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET P-CH 12V 5.3A 2X2 4-MFP、P通道12V 5.3A（Ta）1.47W（Ta）表面安装4微脚、Trans MOSFET P-CH12V 5.3A 4引脚微脚T/R。
