9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI3440DV-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI3440DV-T1-GE3参考价格为1.60000美元。Vishay Siliconix SI3440DV-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 150V 1.2A 6TSOP。您可以下载SI3440DV-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SI3440DV-T1-E3是MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了SI3440DV E3中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TrenchFET商品名，该器件也可以用作SOT-23-6薄型TSOT-23-6封装盒。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为6-TSOP，配置为单通道，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.14W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为150V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.2A（Ta），最大Id Vgs的Rds为375 mOhm@1.5A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为15纳秒，上升时间为10纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为150 V，Rds漏极源极电阻为375毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为20纳秒，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导Min为4.1S，信道模式为增强。
SI3438DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 40V 7.4A 6-TSOP，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于40 V，提供单位重量功能，如0.000705 oz，晶体管类型设计为在1 N沟道中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包为6-TSOP，该设备为TrenchFETR系列，该设备具有35.5 mOhm@5A，10V Rds On Max Id Vgs，Rds On Drain Source电阻为35.5 mOhms，最大功率为3.5W，Pd功耗为2 W，零件别名为SI3438DV-GE3，包装为Digi-ReelR替代包装，包装盒为SOT-23-6薄型，TSOT-23-6，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最小工作温度范围是-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Cis-Vds为640pF@220V，Id连续漏电流为5.5 A，栅极电荷Qg Vgs为20nC@110V，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为7.4A（Tc），配置为单一。
Si3440DV-T1-GE3是MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-TSOP，包括单一配置，它们设计用于在1.2A（Ta）电流连续漏极Id 25°C下工作，漏极到源极电压Vdss如数据表注释所示，用于150V，提供FET功能，如标准，FET类型设计用于MOSFET N沟道，金属氧化物，除了8nC@10V栅极电荷Qg Vgs之外，该器件还可以用作1.5 A Id连续漏极电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，信道数为1信道，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），封装外壳为SOT-23-6 Thin，TSOT-23-6，封装为Digi-ReelR交替封装，零件别名为SI3440DV-GE3，Pd功耗为2 W，功率最大值为1.14W，漏极-源极电阻Rds为375 mOhm，最大Id Vgs Rds为375mOhm@1.5A，10V，系列为TrenchFETR，供应商器件封装为6-TSOP，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.000705oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V，Vgs最大Id为4V@250μA。
SI34401BDY-T1-GE3，带有VISHAY制造的EDA/CAD模型。SI34401BDY-T1-GE3采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
