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RTR030P02TL是MOSFET P-CH 20V 3A TSMT3，包括RTR030P01系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供SC-96等封装盒功能，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TSMT3供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET P信道，金属氧化物，最大功率为1W，晶体管类型为1 P信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis Vds为840pF@10V，FET特性为逻辑电平门，2.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为3A（Ta），最大Id Vgs的Rds为75 mOhm@3A，4.5V，Vgs最大Id为2V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为9.3nC@4.5V，Pd功耗为1 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为20纳秒，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为3A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为55mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为12ns，沟道模式为增强。
RTR030P02FT1TL，带有ROHM制造的用户指南。RTR030P02FT1TL在TSMT3封装中提供，是IC芯片的一部分。
RTR030P02GZ TL，电路图由ROHM制造。RTR030P02GZ TL在SOT23-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
