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BSC016N03MS G是MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8,包括OptiMOS 3M系列,它们设计用于卷盘封装。数据表注释中显示了零件别名,用于BSC016N03M SGATMA1 BSC016N03mm SGXT SP000311502,提供SMD/SMT等安装样式功能,商品名设计用于OptiMOS,以及TDSON-8封装盒,该器件也可以用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件采用单四漏三源配置,该器件具有1 N信道晶体管型,Pd功耗为2.5 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为16 ns,上升时间为16纳秒,Vgs栅极-源极电压为16V,Id连续漏极电流为28A,Vds漏极-源极击穿电压为30V,Rds导通漏极-漏极电阻为1.6mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为42ns,典型接通延迟时间为31ns,沟道模式为增强。
BSC016N03MS,带有LNFINEON制造的用户指南。BSC016N03MS采用SMD封装,是FET的一部分-单个。
BSC016N03MSG,带有INFINEON制造的电路图。BSC016N03MSG在DFN-85X6封装中提供,是FET的一部分-单个。