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IPD50P04P4L-11是MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3，包括OptiMOS？系列，它们被设计为与Digi-ReelR替代包装包装一起使用。数据表注释中显示了IPD50P04P4L11TMA1 IPD50PO4P4L11XT SP000671156中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT以及OptiMOS商标，该设备也可以用作to-252-3、DPak（2引线+标签）、，SC-63包装箱。此外，该技术为Si，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件具有安装型表面安装，通道数为1通道，供应商器件封装为PG-TO252-3-313，配置为单通道，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，功率最大值为58W，晶体管类型为1 P通道，漏极-源极电压Vdss为40V，输入电容Cis-Vds为3900pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为50A（Tc），最大Id Vgs上的Rds为10.6 mOhm@50A，10V，Vgs最大Id为2.2V@85μA，栅极电荷Qg-Vgs为59nC@10V，Pd功耗为58W，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为9 ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为-50 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Vgs第h栅极-源极端电压为-1.7 V，Rds漏极-源极电阻为8.2mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为46ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为45nC，沟道模式为增强。
IPD50P04P4L11ATMA1，带用户指南，包括-1.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-16 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-40 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为12 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有XPD50P04系列，上升时间为9ns，Rds漏极-源极电阻为8.2mOhms，Qg栅极电荷为45nC，Pd功耗为58W，部件别名为IPD50P04P4L-11 IPD50P4P4L11XT SP000671156，包装为卷筒，包装盒为TO-252-3，通道数量为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为-50 A，下降时间为39 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IPD50P04P4-13是MOSFET P-Ch-40V-50A DPAK-2 OptiMOS-P2，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于28ns，提供Id连续漏极电流功能，如-50 a，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件具有一个封装卷，部件别名为IPD50P04P413ATMA1 IPD50PO4P413XT SP000840204，Pd功耗为58W，Qg栅极电荷为39nC，Rds漏极-源极电阻为12.6mOhms，上升时间为10ns，系列为OptiMOS-P2，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为22ns，典型接通延迟时间为17ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为-40V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-3V。
IPD50P04P413ATMA1，带EDA/CAD型号，包括XPD50P04系列，它们设计用于to-252-3封装盒，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供Si等技术特性，封装设计用于卷筒，以及P沟道晶体管极性，该设备也可以用作IPD50P04P4-13 IPD50PO4P413XT SP000840204部件别名。此外，晶体管类型为1 P通道，该器件提供1通道通道数，该器件的单位重量为0.13932盎司。
