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TK39N60W,S1VF

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 38.8A (Ta) 最大功耗: 270W(Tc) 供应商设备包装: TO-247 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 东芝 (Toshiba)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 78.87518 78.87518
10+ 71.25565 712.55650
100+ 58.99559 5899.55930
500+ 51.37244 25686.22050
1000+ 45.19569 45195.69600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥78.87518
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥78.88
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
  • 制造厂商 东芝 (Toshiba)
  • 供应商设备包装 TO-247
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 38.8A (Ta)
  • 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 19.4A, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.7V @ 1.9毫安
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4100 pF @ 300 V
  • 场效应管特性 超级结
  • 最大功耗 270W(Tc)
  • 色彩/颜色 -

TK39N60W,S1VF 产品详情

  • 应用范围:开关稳压器
  • 极性:N-ch
  • 生成:DTMOSⅣ
  • 内部连接:单个
  • RoHS兼容产品(#):可用
  • 装配基地:中国

特色

  • 装配底座:3.7 V
  • 装配底座:65 mΩ
  • 装配底座:4100 pF
  • 组件底座:110 nC

应用

开关稳压器
TK39N60W,S1VF所属分类:分立场效应晶体管 (FET),TK39N60W,S1VF 由 东芝 (Toshiba) 设计生产,可通过久芯网进行购买。TK39N60W,S1VF价格参考¥78.875181,你可以下载 TK39N60W,S1VF中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询TK39N60W,S1VF规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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