9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT56M50L，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT56M50L参考价格10.930000美元。Microchip Technology APT56M50L封装/规格：MOSFET N-CH 500V 56A TO264。您可以下载APT56M50L英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT56M50L价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT56F60L是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括0.352740 oz单位重量，它们设计为通孔安装式，封装盒如数据表注释所示，用于to-264，提供Si等技术特性，配置设计为单级工作，以及1.04 kW Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为60 ns，器件的上升时间为75 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为60 a，Vds漏极-源极击穿电压为600 V，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为110mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为190ns，典型接通延迟时间为65ns，Qg栅极电荷为280nC，正向跨导最小值为55S，沟道模式为增强。
APT56M50B2是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括4 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于500 V，提供典型的开启延迟时间功能，如38 ns，典型的关闭延迟时间设计为100 ns，除了N沟道晶体管极性之外，该器件还可以用作POWER MOS 8商标。此外，该技术为Si，器件在45 ns上升时间内提供，器件具有85 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Qg栅极电荷为220 nC，Pd功耗为780 W，封装为卷轴，封装外壳为T-Max-3，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为56A，正向跨导最小值为43S，下降时间为33ns，信道模式为增强。
APT56F60B2是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
