MSC035SMA070B
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 700 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 77A (Tc) 最大功耗: 283W(Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 品牌: 微芯 (Microchip)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 99.37258 | 99.37258 |
100+ | 90.34793 | 9034.79350 |
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数量:
- +
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规格参数
- 长(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度(TJ)
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 20伏
- 制造厂商 微芯 (Microchip)
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.7V@2毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 77A (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 700 V
- 最大栅源极电压 (Vgs) +25伏、-10伏
- 技术 碳化硅结型晶体管
- 导通电阻 Rds(ON) 44毫欧姆 @ 30A, 20V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 99 nC @ 20 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2010 pF@700 V
- 最大功耗 283W(Tc)
- 色彩/颜色 -
MSC035SMA070B 产品详情
Microsemi SiC肖特基势垒二极管(SBD)提供了优于传统硅功率二极管的动态和热性能。SiC(碳化硅)势垒二极管由硅(Si)和碳(C)组成。与纯硅器件相比,SiC器件提供了更大的介电击穿场强、更高的带隙和更高的热导率。SiC肖特基二极管具有零正向和反向恢复电荷,这减少了二极管开关损耗。这些设备还提供独立于温度的开关,确保稳定的高温性能。
MSC035SMA070B所属分类:分立场效应晶体管 (FET),MSC035SMA070B 由 微芯 (Microchip) 设计生产,可通过久芯网进行购买。MSC035SMA070B价格参考¥99.372588,你可以下载 MSC035SMA070B中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询MSC035SMA070B规格参数、现货库存、封装信息等信息!
微芯 (Microchip)
Microchip Technology Inc.是微控制器和模拟半导体的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用程序提供低风险的产品开发、更低的系统总成本和更快的上市时间。Microchip总部位于亚利...