9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRLIZ44GPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRLIZ44GPBF价格参考2.99000美元。Vishay Siliconix IRLIX44GPBF封装/规格：MOSFET N-CH 60V 30A TO220-3。您可以下载IRLIZ44GPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRLIZ34NPBF是MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供37 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为21 ns，上升时间为100 ns，Vgs栅源电压为16 V，Id连续漏电流为22 A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型接通延迟时间为8.9ns，Qg栅极电荷为16.7nC，正向跨导Min为11S。
IRLIZ44G是MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP，包括10 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为42 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为IRLIZ44G系列，该器件的上升时间为230 ns，漏极电阻Rds为28 mOhms，Pd功耗为48 W，封装为散装，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175 C，Id连续漏电流为30 A，下降时间为110 ns，配置为单一，通道模式为增强。
IRLIZ34N是由IR制造的MOSFET N-CH 55V 22A TO220FP。IRLIZ36N可用于TO-220-3全封装封装，是FET的一部分-单体，并支持MOSFET N-CH55V 22A-TO220FP、N沟道55V22A（Tc）37W（Tc）通孔TO-220AB全封装。
