9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFBF30PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFBF30PBF参考价格为3.01000美元。Vishay Siliconix IRFBF30PBF封装/规格：MOSFET N-CH 900V 3.6A TO220AB。您可以下载IRFBF30PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，如IRFBF30PBF价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IRFBF20STRLPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK，包括卷轴封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为32 ns，上升时间为21 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极阈值电压为2V至4V，Rds导通漏极-漏极电阻为8欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为56ns，典型接通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为38nC，正向跨导最小值为0.6S，沟道模式为增强。
IRFBF20STRRPBF是MOSFET N-CH 900V 1.7A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在900 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为56 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件在21纳秒上升时间内提供，器件具有8欧姆Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3.1W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.7 A，下降时间为32 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRFBF30是由IR制造的MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220AB。IRFBF330可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH900V 3.6A-TO-220AA、N沟道900V 3.6V（Tc）125W（Tc。
