9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFS11N50APBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFS11N50APBF参考价格为3.08000美元。Vishay Siliconix IRFS11N50APBF封装/规格：MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK。您可以下载IRFS11N50APBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFRC20TRPBF是MOSFET N-CH 600V 2A DPAK，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.050717盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如to-252-3、DPAK（2引线+接线片）、SC-63，它的工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为1信道，该设备在D-Pak供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.5W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为600V，输入电容Cis-Vds为350pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2A（Tc），最大Id Vgs的Rds为4.4 Ohm@1.2A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为23 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为4.4欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为10ns，沟道模式为增强。
IRFRO24N带有由IR制造的用户指南。IRFRO24N采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
IRFS11N50A是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 11A D2PAK。IRFS11N40A可提供TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 11A D2PAK，N-通道500V 11A（Tc）170W（Tc）表面安装D2PAK。
