9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SUP60020E-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SUP60020E-GE3参考价格为3.25000美元。Vishay Siliconix SUP60020E-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 80V 150A TO220AB。您可以下载SUP60020E-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SUP53P06-20-E3是MOSFET P-CH 60V 9.2A TO220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供3.1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为40 ns，上升时间为7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极导通电阻为19.5 mOhms，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为70 ns，典型接通延迟时间为10 ns，沟道模式为增强型。
SUP57N20-33-E3是MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如24 ns，典型的关闭延迟时间设计为45 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为220 ns，器件的漏极电阻为33 mOhms，Pd功耗为3.75 W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为57 A，下降时间为200 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
SUP53P06-20-GE3是MOSFET P沟道60-V（D-S），包括1个沟道数量的沟道，它们设计为使用硅技术操作。数据表注释中显示了用于P沟道的晶体管极性，该P沟道提供晶体管类型功能，如1个P沟道。
SUP57N20-33是VISHAY制造的MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB。SUP57N20-33在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 57A TO220AB、Trans MOSFET N-CH200V 57A-3-Pin（3+Tab）TO-220AB。
