9icnet为您提供STMicroelectronics设计和生产的STB36N60M6，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。STB36N60M6参考价格为5.75000美元。STMicroelectronics STB36N60M6封装/规格：MOSFET N-CH 600V 30A D2PAK。您可以下载STB36N60M6英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB35NF10T4是MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK，包括STB35NFC10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-252-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管型，该器件具有115 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+175 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为40 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为17ns，正向跨导最小值为20S，沟道模式为增强。
带有用户指南的STB35N60DM2，包括3 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-25 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.079014 oz，典型开启延迟时间设计为21.2 ns，以及68 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为17 ns，器件的漏极-源极电阻为110 mOhm，Qg栅极电荷为54 nC，Pd功耗为210 W，封装外壳为D2PAK-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为28A，下降时间为10.7ns，配置为1N通道，通道模式为增强型。
STB35N65M5是MOSFET功率MOSFET N-CH 650V，包括单一配置，它们设计为在16 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于27 a，其最大工作温度范围为+150 C，安装样式设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数量的通道，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，封装为Reel，器件提供160 W Pd功耗，器件具有83 nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为85 mOhms，上升时间为12 ns，系列为MDmesh M5，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道、典型关断延迟时间为64 ns，并且典型的接通延迟时间为60ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极电压为+/-25V，第Vgs栅极源极阈值电压为4V。
STB35NF10带有ST制造的EDA/CAD模型。STB35NFC10可在SOT263封装中获得，是FET的一部分-单个。
