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PSMN1R2-30YLDX是MOSFET N-CH 30V 1.2 mOhm逻辑电平MOSFET，包括卷盘封装，它们设计为与PSMN1R1-30YLD115部件别名一起工作，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供LFPAK-4等封装外壳功能，技术设计为在Si中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供194 W Pd功耗，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25.5 ns，上升时间为31 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.7V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.2mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为38.7ns，典型接通延迟时间为25.3ns，Qg栅极电荷为32nC，沟道模式为增强型。
PSMN1R2-30YLC，115是MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK，包括1.95V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于1.25 mOhm@25A，10V，提供功率最大功能，如215W，封装设计用于Digi-ReelR Alternative Packaging，以及SC-100、SOT-669，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供5093pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有78nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，4.5V驱动，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C的电流连续漏极Id为100A（Tc）。
PSMN1R3-30YL，带有NXP制造的电路图。PSMN1R3-30YL以SMD封装形式提供，是FET的一部分-单个。
