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PSMN0R9-30YLDX

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 300A (Tc) 最大功耗: 291瓦 供应商设备包装: LFPAK56;Power-SO8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 18.97639 18.97639
10+ 17.02081 170.20815
100+ 13.68111 1368.11140
500+ 11.24054 5620.27300
1500+ 9.63472 14452.08450
  • 库存: 0
  • 单价: ¥18.97640
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥18.98
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 300A (Tc)
  • 包装/外壳 SOT-1023,4-LFPAK
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@1毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 109 nC@10 V
  • 供应商设备包装 LFPAK56;Power-SO8
  • 导通电阻 Rds(ON) 0.87欧姆@25A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 7668 pF @ 15 V
  • 最大功耗 291瓦
  • 色彩/颜色 -

PSMN0R9-30YLDX 产品详情

PSMN0R9-30YLDX所属分类:分立场效应晶体管 (FET),PSMN0R9-30YLDX 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产,可通过久芯网进行购买。PSMN0R9-30YLDX价格参考¥18.976398,你可以下载 PSMN0R9-30YLDX中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询PSMN0R9-30YLDX规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安世半导体 (Nexperia)

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Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家,这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...

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