IPP60R125C6XKSA1
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 30A (Tc) 最大功耗: 219W(Tc) 供应商设备包装: PG-TO220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 48.13341 | 48.13341 |
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规格参数
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至220-3
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 供应商设备包装 PG-TO220-3
- 漏源电流 (Id) @ 温度 30A (Tc)
- 部件状态 不适用于新设计
- 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@14.5A,10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V @ 960A
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 96 nC @ 10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2127 pF@100 V
- 最大功耗 219W(Tc)
- 材质 铝
IPP60R125C6XKSA1 产品详情
英飞凌CoolMOS™C6/C7功率MOSFET
IPP60R125C6XKSA1所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IPP60R125C6XKSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IPP60R125C6XKSA1价格参考¥48.133416,你可以下载 IPP60R125C6XKSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IPP60R125C6XKSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。