9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT14M120S，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT14M120S参考价格为10.42000美元。微芯片技术APT14M120S封装/规格：MOSFET N-CH 1200V 14A D3PAK。您可以下载APT14M120S英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT14M100S是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括通孔安装型，它们设计用于PG-TO247封装盒，数据表说明中显示了用于Si的技术，提供了信道数功能，如1信道，配置设计用于1 N信道，以及1 N信道晶体管类型，该器件也可以用作500W Pd功率耗散，其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，该器件的下降时间为26ns，上升时间为29ns，Vgs栅极-源极电压为30V，Id连续漏极电流为14A，Vds漏极-源极击穿电压为1kV，Vgsth栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-源极电阻为880mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为120nC，正向跨导最小值为16S，沟道模式为增强。
APT14M120B是MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于1200 V，提供单位重量功能，如1.340411 oz，典型开启延迟时间设计为26 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS 8，该器件采用Si技术，该器件的上升时间为15纳秒，漏极-源极电阻Rds为870毫欧，Qg栅极电荷为145 nC，Pd功耗为625 W，包装为卷轴式，包装盒为TO-247-3，安装方式为通孔式，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为14A，正向跨导最小值为15S，下降时间为24ns，信道模式为增强。
APT14M100B是MOSFET功率MOSFET-MOS8，包括增强通道模式，它们设计为在26 ns的下降时间下工作，数据表说明中显示了16 S中使用的最小正向跨导，提供Id连续漏极电流功能，如14 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-247-3，器件提供500W Pd功耗，器件具有120nC的Qg栅极电荷，Rds漏极-源极电阻为710mOhms，上升时间为29ns，技术为Si，商品名为Power MOS 8，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为1.340411盎司，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为4V。
APT14F100S是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括硅技术。
