9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT37F50B，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT37F50B参考价格6.44000美元。Microchip Technology APT37F50B封装/规格：MOSFET N-CH 500V 37A TO247。您可以下载APT37F50B英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT36N90BC3G是MOSFET功率MOSFET-CoolMOS，包括卷轴封装，它们设计用于1.340411盎司的单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于硅，以及390 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，器件的下降时间为25 ns，器件的上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为36 a，Vds漏极-源极击穿电压为900 V，Vgs栅-源极阈值电压为3 V，Rds漏极-源极电阻为100mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为400ns，典型接通延迟时间为70ns，Qg栅极电荷为252nC，沟道模式为增强。
APT36GA60B是IGBT 600V 65A 290W TO-247，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在最大Vge Ic下2.5V@15V、20A Vce下工作，测试条件如数据表注释所示，用于400V、20A、10欧姆、15V，提供Td开-关25°C功能，如16ns/122ns，开关能量设计为在307μJ（开）、254μJ（关）下工作，除了TO-247[B]供应商设备包，该设备还可以用作POWER MOS 8？系列此外，最大功率为290W，器件采用管式封装，器件具有TO-247-3封装外壳，安装类型为通孔，输入类型为标准型，IGBT类型为PT，栅极电荷为102nC，集流器脉冲Icm为109A，集流器Ic最大值为65A。
APT36GA60BD15是IGBT 600V 65A 290W TO-247，包括65A集流器Ic Max，设计用于109A集流脉冲Icm，数据表注释中显示了用于18nC的栅极电荷，该18nC提供IGBT类型的功能，如PT，输入类型设计用于标准，以及通孔安装类型，该装置也可用作TO-247-3包装箱。此外，包装是管，该设备提供290W功率最大，该设备具有功率MOS 8？系列，供应商设备包为TO-247[B]，开关能量为307μJ（开）、254μJ（关），25°C时的Td为16ns/122ns，测试条件为400V、20A、10 Ohm、15V，最大Vge Ic为2.5V@15V、20A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APT35GT120JU3是IGBT 1200V 55A 260W SOT227，包括沟槽式场阻IGBT类型，它们设计用于标准输入，供应商设备包如SOT-227中使用的数据表注释所示，该SOT-227提供配置功能，如单、NTC热敏电阻设计用于否，以及ISOTOP封装外壳，该设备也可以用作底盘安装型。此外，集电器截止电流最大值为5mA，该设备提供55A集电器Ic最大值，该设备最大功率为260W，输入电容Cies Vce为2.53nF@25V，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，35A，集电器-发射极击穿最大值为1200V。
