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IPD127N06L G是MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2，包括IPD127NO6系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名显示在IPD127NO 6LGBTMA1 IPD126N06LGXT SP000443740中使用的数据表注释中，该产品提供单位重量功能，例如0.13932盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及OptiMOS商品名，该装置也可用作TO-252-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为136 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为14 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为12.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
IPD1-25-D带有用户指南，包括Mini-MateR IPD1系列，它们设计为以0.100“（2.54mm）的行距运行，间距如数据表注释所示，用于0.100”（2.54mm），提供散装、行数设计为2行以及50个位置等包装功能，该设备也可作为自由悬挂（直列）安装型。此外，紧固类型为闩锁，设备为母插座接触型，设备具有接触端压接，连接器类型为插座，颜色为白色。
IPD127N06LG，电路图由FEELING制造。IPD127N06LG采用TO-252封装，是FET的一部分-单个。
