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PSMN1R8-40YLC是MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK,包括Digi-ReelR替代封装,它们设计用于SC-100、SOT-669、4-LFPAK封装盒,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于LFPAK、Power-SO8以及MOSFET N沟道,金属氧化物FET型,该器件也可以用作272W最大功率。此外,漏极到源极电压Vdss为40V,该器件提供6680pF@20V输入电容Cis Vds,该器件具有逻辑电平门,4.5V FET驱动功能,25°C的电流连续漏极Id为100A(Tc),最大Id Vgs的Rds为1.8mOhm@25A,10V,Vgs最大Id为1.95V@1mA,栅极电荷Qg Vgs为96nC@10V。
PSMN1R8-30PL,127是NXP制造的MOSFET N-CH 30V TO220AB。PSMN1R8-30PL,127可在TO-220-3封装中获得,是FET的一部分-单个,并支持MOSFET N-CH 30V TO220AB、N沟道30V 100A(Tc)270W(Tc)通孔TO-220AB、Trans MOSFET N-CH30V 100B 3引脚(3+Tab)TO-220AA导轨、MOSFET N-CHAN 30V 100C。
PSMN1R8-40YLC115,带有NXP制造的电路图。PSMN1R8-40YLC115采用LFPAK封装,是IC芯片的一部分。