9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFD9010PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFD9010PBF参考价格为1.45000美元。Vishay Siliconix IRFD9010PBF封装/规格：MOSFET P-CH 50V 1.1A 4DIP。您可以下载IRFD9010PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IRFD9010是MOSFET P-CH 50V 1.1A 4-DIP，包括管封装，设计用于0.022575 oz单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供DIP-4等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 P沟道，器件提供1 W Pd功耗，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为39 ns，上升时间为47 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为-50V，Rds漏极源极电阻为350m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为6.1ns，正向跨导最小值为2.5S，沟道模式为增强。
IRFD320PBF是MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作。典型的开启延迟时间显示在数据表注释中，用于10 ns，提供典型的关闭延迟时间功能，如30 ns，晶体管类型设计为在1 N通道中工作，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为14 ns，器件的漏极电阻为1.8欧姆Rds，器件具有1 W的Pd功耗，封装为管，封装外壳为HVMDIP-4，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为490mA，下降时间为14ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
IRFD420PBF是MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP，包括增强通道模式，它们设计用于单双漏极配置，下降时间显示在数据表注释中，用于8.6 ns，提供Id连续漏极电流特性，如370 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用HVMDIP-4封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为1 W，Rds漏极-源极电阻为3欧姆，上升时间为8.6 ns，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1 N信道，典型关断延迟时间为33 ns，典型的导通延迟时间为8ns，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IRFD420是由IR制造的MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIP。IRFD420可提供4-DIP（0.300“，7.62mm）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH500V 370MA 4-DIP，N-通道500V 370MA（Ta）1W（Ta）通孔4-DIP，Hexdip，HVMDIP，Trans MOSFET N-CH2 500V 0.37A 4-引脚HVMDIP。
