9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SI7464DP-T1-GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SI7464DP-T1-GE3参考价格为1.98000美元。Vishay Siliconix SI7464DP-T1-GE3封装/规格：MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8。您可以下载SI7464DP-T1-GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SI7463DP-T1-GE3是MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8，包括TrenchFETR系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作。数据表注释中显示了用于SI7463DP-GE3的零件别名，SI7463DP GE3提供单位重量功能，例如0.017870盎司，安装样式设计为在SMD/SMT以及PowerPAKR SO-8封装盒中工作，该器件也可以用作硅技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装安装型，该器件具有1个通道数，供应商器件封装为PowerPAKR SO-8，配置为单，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为1.9W，晶体管类型为1 P沟道，漏极至源极电压Vdss为40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为11A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为9.2mOhm@18.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为140nC@10V，Pd功耗为1.9W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为25纳秒，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为11 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds导通漏极-漏极电阻为9.2毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为200纳秒，典型的开启延迟时间为20ns，信道模式为增强。
SI7463DP-T1-E3是MOSFET P-CH 40V 11A PPAK SO-8，包括3V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-40 V，提供单位重量功能，如0.017870 oz，典型开启延迟时间设计为20 ns，该器件还可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有供应商器件封装的PowerPAKR SO-8，系列为TrenchFETR，上升时间为25 ns，Rds On Max Id Vgs为9.2 mOhm@18.6A，10V，Rds On Drain Source Resistance为9.2 mOhm，Power Max为1.9W，Pd功耗为1.9 W，部件别名为SI7463DP-T1，包装为Digi-ReelR交替包装，包装箱为PowerPAKR SO-8，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围-55°C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为11 A，栅极电荷Qg Vgs为140nC@10V，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，下降时间为25 ns，漏极到源极电压Vdss为40V，电流连续漏极Id 25°C为11A（Ta），配置为单一，沟道模式为增强型。
SI7464DP-T1-E3是MOSFET N-CH 200V 1.8A PPAK SO-8，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了12 ns的下降时间，提供了1.8 a的Id连续漏电流特性，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用SO-8封装盒，该器件具有一个封装卷，部件别名为SI7464DP-T1，Pd功耗为1.8W，漏极电阻Rds为240mOhm，上升时间为12ns，系列为SI74xxDx，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为15ns，典型接通延迟时间为10ns，单位重量为0.017870oz，Vds漏极-源极击穿电压为200V，Vgs栅极-源极电压为20V。
SI7464DP，带有SI制造的EDA/CAD模型。SI7464DPQFN-8封装，是FET的一部分-单个。
