9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PSMN1R7-30YL，115，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PSMN1R7-30YL，115参考价格$2.04000。Nexperia USA Inc.PSMN1R7-30YL，115封装/规格：MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK56。您可以下载PSMN1R7-30YL，115英文数据，引脚图，数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图，功能的应用电路图，电压，使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的，你可以通过电子邮件或在线信息联系我们，例如PSMN1R7-30YL，115价格，库存数量，数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
PSMN1R6-40YLC:115是MOSFET N沟道40 V 1.55 mo FET，包括卷轴封装，它们设计为与SMD/SMT安装方式一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于LFPAK-4，提供Si等技术特性，信道数设计为在1个信道中工作，以及单配置，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，Pd功耗为288 W，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为42 ns，上升时间为48 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为100 A，Vds漏极-源极击穿电压为40 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为1.46V，Rds漏极-源极电阻为1.45mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为86ns，典型接通延迟时间为41ns，Qg栅极电荷为59nC，沟道模式为增强。
PSMN1R6-30PL是NXP制造的MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。PSMN1R6-30PL在TO-220-3封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB。
带有NXP制造的电路图的PSMN1R7。PSMN1R7在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
PSMN1R7-30YL，带有NXP制造的EDA/CAD模型。PSMN1R7-30YL在SOT669封装中提供，是FET的一部分-单个。
