9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF710STRLPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF710STRLPBF参考价格为1.75000美元。Vishay Siliconix IRF710STRLPBF封装/规格：MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK。您可以下载IRF710STRLPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF710PBF是MOSFET N-CH 400V 2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供36 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为11 ns，上升时间为9.9 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为400V，Rds漏极漏极-漏极电阻为3.6欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为21ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
IRF710SPBF是MOSFET N-Chan 400V 2.0安培，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在400 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为21 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件的上升时间为9.9ns，器件的漏极-源极电阻为3.6欧姆，Pd功耗为3.1W，封装为管，封装外壳为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55℃，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2A，下降时间为11ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF710A带有由IR制造的电路图。IRF710A采用TO-220封装，是IC芯片的一部分。
IRF710S是由IR制造的MOSFET N-CH 400V 2A D2PAK。IRF710S可提供TO-263-3、D²Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH400V 2A D2PAG、N沟道400V 2A（Tc）3.1W（Ta）、36W（Tc。
