9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT10M11LVRG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT10M11LVRG参考价格为37.59000美元。Microchip Technology APT10M11LVRG封装/规格：MOSFET N-CH 100V 100A TO264。您可以下载APT10M11LVRG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT10M11JVRU3是分立半导体模块功率模块-Mosfet，包括功率Mosfet模块产品，它们设计用于散装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.058219盎司，提供安装类型功能，如螺丝，商品名设计用于Power MOS V ISOTOP，以及SOT-227-4包装箱，该设备也可以用作单一配置。此外，Pd功耗为450 W，器件的下降时间为9 ns，器件的上升时间为48 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为142 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2 V，Rds漏极源极电阻为11 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为51ns，典型接通延迟时间为16ns。
APT10M11JVRU2是分立半导体模块功率模块-Mosfet，包括2 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在30 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，提供单位重量功能，如1.058219 oz，典型开启延迟时间设计为16 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为POWER MOS V ISOTOP，该器件的上升时间为48纳秒，器件的漏极-源极电阻为11毫欧姆，产品为功率MOSFET模块，Pd功耗为450 W，封装外壳为SOT-227-4，安装方式为螺旋式，Id连续漏极电流为142 a，下降时间为9纳秒，配置为单一。
APT10M11JVFR是由APT制造的Trans-MOSFET N-CH 100V 144A 4引脚SOT-227。APT10M11-JVFR以模块封装形式提供，是模块的一部分，并支持Trans-MOSMOSFET N-CH 100 V 144A 4-引脚SOT-227。
