9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRF630STRRPBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRF630STRRPBF参考价格为1.78000美元。Vishay Siliconix IRF630STRRPBF封装/规格：MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK。您可以下载IRF630STRRPBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRF630SPBF是MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK，包括管封装，它们设计为以0.050717盎司的单位重量运行，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供to-252-3等封装盒功能，技术设计为在Si中工作，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供3 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为20 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为200 V，Rds漏极-源极电阻为400m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为39ns，典型接通延迟时间为9.4ns，正向跨导最小值为3.8S，沟道模式为增强。
IRF630STRLPBF是MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如9.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为39 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，器件提供28 ns上升时间，器件具有400 mOhms的Rds漏极-源极电阻，Pd功耗为3 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为9 A，下降时间为20 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IRF630STRPBF带有由IR制造的电路图。IRF630STRPBF采用SOT263封装，是IC芯片的一部分。
IRF630STRR是由IR制造的MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK。IRF630STRR有TO-263-3，D²Pak（2引线+接线片），TO-263AB封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH200V 9AD2PAK，N沟道200V 9A（Tc）3W（Ta），74W（Tc）表面安装D？PAK（至263）。
