9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IPP530N15N3GXKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IPP530N15N3GXKSA1参考价格为2.06000美元。Infineon Technologies IPP530N15N3GXKSA1封装/规格：MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3。您可以下载IPP530N15N3GXKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IPP50R520CP是MOSFET N-CH 550V 7.1A TO-220，包括CoolMOS CP系列，它们设计用于管式封装，零件别名如数据表注释所示，用于IPP50R420CPHKSA1 IPP50R5 20CPXK IPP50R120CPXKSA1 SP000680944，提供单位重量功能，如0.211644盎司，安装样式设计用于通孔，以及CoolMOS商品名，该装置也可用作TO-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件提供1信道信道数，该器件具有单一配置，晶体管类型为1 N信道，Pd功耗为66W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为17ns，上升时间为14ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为7.1A，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Rds导通漏极-漏极电阻为520mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为35ns，沟道模式为增强。
IPP50R520CPXKSA1是MOSFET N-Ch 550V 7.1A TO220-3，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于500 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.211644盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如35 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为CoolMOS，该器件采用Si技术，该器件具有IPP50R520系列，上升时间为14ns，漏极-源极电阻Rds为520mOhms，Qg栅极电荷为13nC，Pd功耗为66W，部件别名为IPP50R5 20CP IPP50R120CPXK SP000680944，包装为管，包装盒为TO-220-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏电流为7.1 A，下降时间为17 ns，配置为单通道。
IPP530N15N3 G是MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3，包括单一配置，它们设计为在3 ns下降时间下工作，Id连续漏极电流如数据表注释所示，用于21A，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，以及通孔安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管式封装，器件具有IPP530N15N3GXK IPP530N25N3GXKSA1 SP000521722部件别名，Pd功耗为68 W，漏极电阻Rds为53 mOhms，上升时间为9 ns，系列为OptiMOS 3，技术为Si，商品名为OptiMOS，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为13ns，典型接通延迟时间为9ns，单位重量为0.211644oz，Vds漏极-源极击穿电压为150V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IPP530N15N3G是INFINEON制造的MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3。IPP530N15N3G采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单个，支持MOSFET N-CH 150V 21A TO220-3。
