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PSMN013-30MLC，115是MOSFET N-CH 30V 39A LFPAK33，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SOT-1210，8-LFPAK3（5引线）封装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，金属氧化物FET型，该器件也可以用作38W最大功率。此外，漏极到源极电压Vdss为30V，该器件提供519pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有逻辑电平门，4.5V驱动FET功能，25°C的电流连续漏极Id为39A（Tc），最大Id Vgs的Rds为13.6 mOhm@10A，10V，Vgs最大Id为1.95V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V。
PSMN013-80YS，115是MOSFET N-CH 80V 60A LFPAK，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于LFPAK、Power-SO8供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于12.9 mOhm@15A、10V，提供106W等功率最大特性，包装设计用于Digi-ReelR替代包装，以及SC-100、SOT-669、，4-LFPAK包装箱，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供2420pF@40V输入电容Cis-Vds，该器件具有37nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET N沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极-源极电压Vdss为80V，电流连续漏极Id 25°C为60A（Tc）。
PSMN013-80YS，带有NXP制造的电路图。PSMN013-80YS采用SOT-669封装，是FET的一部分-单个。
PSMN015-100B带有PH/EDA/CAD模型。PSMN015-100 B可在SOT263封装中获得，是FET的一部分-单个。
