9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的IRFB9N65APBF-BE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IRFB9N65APBF-BE3价格参考2.98000美元。Vishay Siliconix IRFB9N65APBF-BE3封装/规格：MOSFET N-CH 650V 8.5A TO220AB。您可以下载IRFB9N65APBF-BE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IRFB9N60APBF是MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB，包括管封装，它们设计用于0.211644盎司单位重量的操作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供TO-220-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单一配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供170 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为22 ns，上升时间为25 ns，Vgs栅极-源极电压为30 V，Id连续漏极电流为9.2 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds漏极漏极-漏极电阻为750mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为30ns，典型接通延迟时间为13ns，沟道模式为增强。
IRFB9N60A是由IR制造的MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-220AB。IRFB9N80A可在TO-220-3封装中获得，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH600V 9.2A TO-220AB、N通道600V 9.2A（Tc）170W（Tc）通孔TO-220AA。
IRFB9N65A是由IR/VISHAY制造的MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB。IRFB9N65A采用TO-220-3封装，是FET的一部分-单体，支持MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB、N沟道650V 8.5B（Tc）167W（Tc）通孔TO-220AA。
